QRD1114
制造商:
On Semiconductor
制造商物料号#:
QRD1114
规格书:
描述:
光电耦合器 6.10mmL×4.39mmW×4.65mmH Through Hole 通道数量:1 Phototransistor 50 mA 1.7 V 上升时间:10 µs 下降时间:50 µs
| 参数项 | 值 |
|---|---|
| 长度 | 6.1 mm |
| 宽度 | 4.39 mm |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 引脚数量 | 4 |
| 高度 | 4.65 mm |
| 包装方式 | Bulk |
| 无铅 | Lead Free |
| 辐射硬化 | No |
| RoHS | Compliant |
| SVHC达标 | No SVHC |
| 重量 | 0 g |
| 触点电镀 | Tin |
| 元件数 | 1 |
| 输出电压 | 30 V |
| 正向电流 | 50 mA |
| 正向电压 | 1.7 V |
| 工作电源电压 | 1.7 V |
| 输出类型 | Phototransistor |
| 寿命周期状态 | Production (Last Updated: 5 months ago) |
| 最大功耗 | 100 mW |
| 功耗 | 100 mW |
| 响应时间 | 50 µs |
| 通道数量 | 1 |
| 最大集电极电流 | 1 mA |
| 集电极 - 发射极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 10 µs |
| 波长 | 940 nm |
| 集电极 - 发射极最大电压 | 30 V |
| 输入电流 | 20 mA |
| 反向击穿电压 | 5 V |
| 感应距离 | 1.27 mm |
| 反向电压（DC） | 5 V |
| 附表B | 8541408000 |
| 制造商寿命周期状态 | ACTIVE (Last Updated: 5 months ago) |
| 下降时间 | 50 µs |
库存: 251
销售商
pcbx
pcbx单价¥5.02288
总价¥5.02288
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.02288 | ¥5.02288 |
| 10 | ¥4.29624 | ¥42.96240 |
| 25 | ¥4.21729 | ¥105.43225 |
| 50 | ¥4.13977 | ¥206.98850 |
| 100 | ¥4.06368 | ¥406.36800 |
| 300 | ¥3.95467 | ¥1186.40100 |
| 500 | ¥3.84852 | ¥1924.26000 |
| 1000 | ¥3.58115 | ¥3581.15000 |